سامسونگ تولید انبوه نسل نهم V-NAND با ظرفیت 1 ترابایت را آغاز کرد

سامسونگ اعلام کرد که تولید انبوه حافظه فلش V-NAND نسل نهم با ظرفیت 1 ترابایت را با استفاده از فناوری چهار سطحی سلولی (QLC) آغاز کرده است. این اولین بار در صنعت است که چنین حافظه ای تولید می شود. این دستاورد پس از تولید انبوه حافظه V-NAND نسل نهم با فناوری سه سطحی سلولی (TLC) در اوایل سال 2024 توسط سامسونگ اتفاق افتاده است و نشان دهنده گرایش کلی صنعت از فناوری TLC به QLC برای پاسخگویی به تقاضای روزافزون برای راهکارهای ذخیره سازی با ظرفیت بالاتر و کارآمدتر است.

حافظه V-NAND جدید با فناوری QLC از فناوری های نوآورانه ای مانند حکاکی کانال، بهره می برد. این فناوری امکان قرارگیری لایه های بیشتر حافظه را با استفاده از ساختار دو لایه ای فراهم می کند و در نتیجه، تراکم بیت حدود 86 درصد نسبت به نسل قبلی حافظه V-NAND با فناوری QLC افزایش می یابد. سامسونگ می گوید که افزایش تراکم باعث افزایش ظرفیت ذخیره سازی در همان فضای فیزیکی می شود و نیازهای برنامه هایی که به مقادیر زیادی فضای ذخیره سازی نیاز دارند را برطرف می کند.

فناوری های طراحی قالب، برنامه ریزی پیش بینی و طراحی کم مصرف نیز باعث افزایش قابل توجهی در قابلیت اطمینان (20 درصد)، دو برابر شدن سرعت نوشتن، افزایش سرعت ورودی/خروجی (60 درصد) و کاهش مصرف برق در هنگام خواندن و نوشتن (تا 50 درصد) شده اند.

### گرایش از TLC به QLC

صنعت در حال گذار از حافظه فلش NAND با فناوری TLC به QLC است. این گذار با توجه به نیاز به ظرفیت های ذخیره سازی بالاتر و راندمان هزینه بیشتر صورت می گیرد. حافظه QLC با ذخیره سازی چهار بیت در هر سلول به جای سه بیت، تراکم ذخیره سازی را به طور قابل توجهی افزایش می دهد. این انتقال به سازندگان امکان می دهد تا SSD هایی با ظرفیت بیشتر و با هزینه های بالقوه کمتر تولید کنند. این امر به ویژه برای مراکز داده و برنامه های کاربردی هوش مصنوعی که نیازمند مقادیر زیادی فضای ذخیره سازی هستند، اهمیت دارد.

سونگ هوئی هور، معاون ارشد و رئیس بخش محصول و فناوری فلش در سامسونگ الکترونیک، گفت: “آغاز تولید انبوه موفق حافظه QLC V-NAND نسل نهم تنها چهار ماه پس از نسخه TLC به ما اجازه می دهد تا طیف کاملی از راهکارهای SSD پیشرفته ارائه دهیم که نیازهای عصر هوش مصنوعی را برطرف می کنند. با توجه به رشد سریع بازار SSD سازمانی و تقاضای قوی برای برنامه های کاربردی هوش مصنوعی، ما با استفاده از حافظه QLC و TLC نسل نهم V-NAND به قدرت خود در این بخش ادامه خواهیم داد.”

حافظه QLC V-NAND ابتدا در محصولات مصرفی تجاری استفاده خواهد شد و سپس به طور گسترده در حافظه فلش UFS موبایل، SSD های PC و سرور برای مشتریان، از جمله ارائه دهندگان خدمات ابری، گسترش خواهد یافت.

مجله خبری تکنولوژی و موبایل

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *